FP50R12KT4, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) n-ch 1.2kv 50a
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FP50R12KT4
Описание FP50R12KT4
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 180 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 107.5 mm |
| Ширина | 45 mm |
| Высота | 17 mm |
| Упаковка / блок | Econo 3 |
| Конфигурация | 3-Phase |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Pd - рассеивание мощности | 280 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.25 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара