IXGH6N170, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700 V 4 V Rds

Код товара: 10100626

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IXGH6N170
Производитель:

Описание IXGH6N170

Вес изделия6.500 g
ECCNEAR99
Вид монтажаThrough Hole
СерияIXGH6N170
УпаковкаTube
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
Упаковка / блокTO-247AD-3
Высота21.46 mm
Длина16.26 mm
Диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
Ширина5.3 mm
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности75 W
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1.7 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер3 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C12 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.24 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Непрерывный коллекторный ток12 A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IXGH6N170 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700 V 4 V Rds в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.