APTGT50A170T1G, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) power module - igbt
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание APTGT50A170T1G
| Вид монтажа | Chassis Mount |
|---|---|
| Вес изделия | 80 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SP1-12 |
| Pd - рассеивание мощности | 312 W |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.7 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара