STW50N65DM2AG, МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Цена от:
750,15 руб.
Нет в наличии
Описание STW50N65DM2AG
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Продукт | Power MOSFETs |
| Тип | High Voltage |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | STW50N65DM2AG |
| Упаковка | Tube |
| Длина | 20.15 mm |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 5.15 mm |
| Ширина | 15.75 mm |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 38 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 87 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 70 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 10.5 ns |
| Время нарастания | 21 ns |
| Типичное время задержки выключения | 89 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22.5 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STW50N65DM2AG , МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара