TP5335K1-G, моп-транзистор 350v 25ohm
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание TP5335K1-G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Тип | FET |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Вес изделия | 8 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время спада | 15 ns |
| Время нарастания | 15 ns |
| Технология | Si |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 30 Ohms |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 350 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 85 mA |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.4 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара