APT50GT120JU2, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
3 602,51 руб.
Нет в наличии
Описание APT50GT120JU2
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Вес изделия | 30 g |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Pd - рассеивание мощности | 347 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 500 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка APT50GT120JU2 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара