AFM907NT1, рч моп-транзисторы rf power
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание AFM907NT1
| Вес изделия | 0.001 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Упаковка / блок | DFN-16 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Рабочая частота | 136 MHz to 941 MHz |
| Выходная мощность | 8 W |
| Pd - рассеивание мощности | 65.7 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V , 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9.8 S |
| Усиление | 15 dB |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара