UML23NTR, Биполярные транзисторы - BJT NPN+Di 50VCEO 0.15A SOT-363
Описание UML23NTR
ECCN | EAR99 |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | UMT-6 |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 400 mV |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара