FS75R12KE3_B9, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200V
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FS75R12KE3_B9
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
28 857,34 ₽
Нет в наличии
Описание FS75R12KE3_B9
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Упаковка / блок | Module |
| Конфигурация | IGBT-Inverter |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Pd - рассеивание мощности | 355 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 105 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FS75R12KE3_B9 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара