PMGD175XNEX, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
PMGD175XNEX
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 0.87A, TSSOP;
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
12,78 руб.
Нет в наличии
Описание PMGD175XNEX
| Вес изделия | 7.500 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Pd - рассеивание мощности | 390 mW |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 950 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 252 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 750 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 1.05 nC |
| Время спада | 6 ns |
| Время нарастания | 14 ns |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.5 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка PMGD175XNEX
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара