IXFP20N85X, МОП-транзистор 850V Ultra Junction X-Class Pwr МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
938,07 руб.
Нет в наличии
Описание IXFP20N85X
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 540 W |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 850 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 330 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Qg - заряд затвора | 63 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 20 ns |
| Время нарастания | 28 ns |
| Типичное время задержки выключения | 44 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFP20N85X , МОП-транзистор 850V Ultra Junction X-Class Pwr МОП-транзистор
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 229 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2243 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара