GHXS030A120S-D1E, Дискретные полупроводниковые модули SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
20 309,86 руб.
Нет в наличии
Описание GHXS030A120S-D1E
| Технология | SiC |
|---|---|
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Продукт | Schottky Diode Modules |
| Тип | SiC Power Module |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Vf - прямое напряжение | 1.5 V |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка GHXS030A120S-D1E , Дискретные полупроводниковые модули SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 436 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1312 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 473 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 266 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара