FD150R12RT4, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
11 946,47 руб.
Нет в наличии
Описание FD150R12RT4
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 152 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Pd - рассеивание мощности | 790 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FD150R12RT4 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 435 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1216 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 407 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 217 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара