BCP53.115, биполярные транзисторы - bjt pnp 80v 1a
Описание BCP53.115
ECCN | EAR99 |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Длина | 6.7 mm |
Ширина | 3.7 mm |
Высота | 1.7 mm |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Вес изделия | 112 mg |
Квалификация | AEC-Q101 |
Технология | Si |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | SOT-223-3 |
Полярность транзистора | PNP |
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 145 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 63 at 5 mA, 2 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at 5 mA, 2 V, 63 at 150 mA, 2 V, 40 at 500 mA, 2 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара