IXTH30N50L2, МОП-транзистор 30.0 Amps 500V 0.002 Rds
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTH30N50L2
Производитель:
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
2 560,51 руб.
Нет в наличии
Описание IXTH30N50L2
| Тип | Linear L2 Power MOSFET |
|---|---|
| Упаковка | Tube |
| Серия | IXTH30N50 |
| Вес изделия | 6.500 g |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | Linear L2 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Длина | 16.26 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Высота | 21.46 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 400 W |
| Технология | Si |
| Время спада | 40 ns |
| Время нарастания | 117 ns |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 240 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 94 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTH30N50L2 , МОП-транзистор 30.0 Amps 500V 0.002 Rds
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2336 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара