BFU580QX, рч биполярные транзисторы npn wideband silicon rf transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
Производитель:
NXP / Philips
Артикул:
BFU580QX
Описание BFU580QX
| Технология | Si |
|---|---|
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 40.337 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT89-3 |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Тип | Wideband RF Transistor |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 16 V |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Диапазон рабочих температур | 40 C to + 150 C |
| Рабочая частота | 900 MHz |
| Полярность транзистора | NPN |
| Тип транзистора | Bipolar Wideband |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 24 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 10.5 GHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 30 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 130 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара