TK19A50W,S5X, моп-транзистор pwr mos pd=40w f=1mhz
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание TK19A50W,S5X
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Серия | TK19A50W |
| Вес изделия | 1.700 g |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | DTMOSIV |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 18.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 190 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |
| Qg - заряд затвора | 38 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 50 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара