STD9N40M2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STD9N40M2
Производитель:
Описание Eng:
400V 800m?@10V 1 N-channel 60W DPAK Single FETs, MOSFETs RoHS
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
47,98 руб.
Внешние склады
-
150+ 217+ 434+ 2169+58,59 ₽ 50,53 ₽ 49,25 ₽ 47,98 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 150Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STD9N40M2
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
|---|---|
| Серия | STD9N40M2 |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 6.6 mm |
| Ширина | 6.2 mm |
| Высота | 2.4 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Время спада | 21 ns |
| Время нарастания | 9 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 8.8 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 7.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.5 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STD9N40M2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара