SQD25N15-52_GE3, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SQD25N15-52_GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 150V, 25A, TO-252AA;
Нормоупаковка:
2000 шт
Цена от:
105,80 руб.
Внешние склады
-
68+ 99+ 197+ 983+129,20 ₽ 111,42 ₽ 108,61 ₽ 105,80 ₽Срок:25 днейНаличие:2 000Минимум:Мин: 68Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание SQD25N15-52_GE3
| Серия | SQ |
|---|---|
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вес изделия | 1.438 g |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 2.38 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 6.73 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Время спада | 12 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 107 W |
| Время нарастания | 21 ns |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 38 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 51 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 33 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SQD25N15-52_GE3
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара