TK20N60W,S1VF, МОП-транзистор N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TK20N60W,S1VF
Описание TK20N60W,S1VF
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Высота | 20.95 mm |
| Длина | 15.94 mm |
| Серия | TK20N60W |
| Ширина | 5.02 mm |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 165 W |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Коммерческое обозначение | DTMOSIV |
| Время нарастания | 25 ns |
| Время спада | 6 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 130 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 50 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.7 V |
| Qg - заряд затвора | 48 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара