STB75NF75T4, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STB75NF75T4
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Нормоупаковка:
1000 шт
Корпус:
D2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
75V
Ток стока макс.:
80A (Tc)
Сопротивление открытого канала:
11 mOhm @ 40A, 10V
Мощность макс.:
300W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Цена от:
17,22 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание STB75NF75T4
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
|---|---|
| Серия | STB75NF75 |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 10.4 mm |
| Ширина | 9.35 mm |
| Высота | 4.6 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Время спада | 30 ns |
| Время нарастания | 100 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 20 S |
| Типичное время задержки выключения | 66 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STB75NF75T4
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара