STD16N60M2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STD16N60M2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.28ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
73,88 руб.
Внешние склады
-
98+ 141+ 282+ 1408+90,22 ₽ 77,80 ₽ 75,84 ₽ 73,88 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 98Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STD16N60M2
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | STD16N60M2 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 18.5 ns |
| Время нарастания | 9.5 ns |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10.5 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STD16N60M2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара