STP20NM60, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STP20NM60
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600V
Ток стока макс.:
20A (Tc)
Сопротивление открытого канала:
290 mOhm @ 10A, 10V
Мощность макс.:
192W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Цена от:
635,28 руб.
Внешние склады
-
12+ 17+ 33+ 164+775,82 ₽ 669,01 ₽ 652,14 ₽ 635,28 ₽Срок:25 днейНаличие:200Минимум:Мин: 12Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание STP20NM60
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
|---|---|
| Серия | STP20NM60 |
| Вес изделия | 1.438 g |
| ECCN | EAR99 |
| Тип | MOSFET |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 10.4 mm |
| Ширина | 4.6 mm |
| Высота | 9.15 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 192 W |
| Время спада | 11 ns |
| Время нарастания | 20 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 290 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 42 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STP20NM60
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара