TN0106N3-G-P003, МОП-транзистор N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
123,89 руб.
Нет в наличии
Описание TN0106N3-G-P003
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 453.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 350 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 3 ns |
| Время нарастания | 3 ns |
| Типичное время задержки выключения | 6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка TN0106N3-G-P003 , МОП-транзистор N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара