BSM120D12P2C005, Дискретные полупроводниковые модули Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
Код товара: 10121947
Цена от:
54 020,92 руб.
Нет в наличии
Описание BSM120D12P2C005
Вид монтажа | Screw Mount |
---|---|
Тип | SiC Power MOSFET |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Серия | BSMx |
Упаковка | Bulk |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 780 W |
ECCN | EAR99 |
Продукт | Power Semiconductor Modules |
Высота | 21.1 mm |
Длина | 122 mm |
Ширина | 45.6 mm |
Вес изделия | 279.413 g |
Конфигурация | Half-Bridge |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 22 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |
Способы доставки в Калининград
Доставка BSM120D12P2C005 , Дискретные полупроводниковые модули Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара