BSM120D12P2C005, Дискретные полупроводниковые модули Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
54 020,92 ₽
Нет в наличии
Описание BSM120D12P2C005
| Вид монтажа | Screw Mount |
|---|---|
| Тип | SiC Power MOSFET |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | BSMx |
| Упаковка | Bulk |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 780 W |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power Semiconductor Modules |
| Высота | 21.1 mm |
| Длина | 122 mm |
| Ширина | 45.6 mm |
| Вес изделия | 279.413 g |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 22 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSM120D12P2C005 , Дискретные полупроводниковые модули Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 290 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара