APT50GN60BDQ2G, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
1 290,00 ₽
Нет в наличии
Описание APT50GN60BDQ2G
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Длина | 21.46 mm |
| Ширина | 16.26 mm |
| Высота | 5.31 mm |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 175 C |
| Pd - рассеивание мощности | 366 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 107 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 107 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 107 A |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка APT50GN60BDQ2G , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара