APT10M11JVRU2, дискретные полупроводниковые модули power module - mosfet
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание APT10M11JVRU2
| Вид монтажа | Screw Mount |
|---|---|
| Длина | 38.2 mm |
| Ширина | 25.4 mm |
| Высота | 9.6 mm |
| Коммерческое обозначение | POWER MOS V, ISOTOP |
| Вес изделия | 30 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 450 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Время спада | 9 ns |
| Id - непрерывный ток утечки | 142 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
| Время нарастания | 48 ns |
| Типичное время задержки выключения | 51 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара