APTM50H14FT3G, Дискретные полупроводниковые модули DOR CC3032
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
14 972,71 руб.
Нет в наличии
Описание APTM50H14FT3G
| Вид монтажа | Screw Mount |
|---|---|
| Упаковка / блок | SP-32 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 11.5 mm |
| Длина | 73.4 mm |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Ширина | 40.8 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 208 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время спада | 41 ns |
| Время нарастания | 17 ns |
| Коммерческое обозначение | POWER MOS 7 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 140 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Конфигурация | Single |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка APTM50H14FT3G , Дискретные полупроводниковые модули DOR CC3032
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2243 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
