2N5551-T, Биполярные транзисторы - BJT NPN 0.6A 160V

Код товара: 10123613

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
2N5551-T
Производитель:

Описание 2N5551-T

УпаковкаReel, Cut Tape
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Вес изделия453.600 mg
ECCNEAR99
Упаковка / блокTO-92-3
Pd - рассеивание мощности625 mW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.160 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)180 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250
Непрерывный коллекторный ток0.6 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.2 V

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка 2N5551-T , Биполярные транзисторы - BJT NPN 0.6A 160V в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.