2SA2013-TD-E, биполярные транзисторы - bjt bip pnp 4a 50v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2SA2013-TD-E
| Серия | 2SA2013 |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 51.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | PCP-3 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 7 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 360 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара