GHXS030A120S-D3, Дискретные полупроводниковые модули SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
11 704,46 руб.
Нет в наличии
Описание GHXS030A120S-D3
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Tube |
| Тип | SiC Power Module |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Vf - прямое напряжение | 1.5 V |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Продукт | Schottky Diode Modules |
| Технология | SiC |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка GHXS030A120S-D3 , Дискретные полупроводниковые модули SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара