BSC12DN20NS3 G
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSC12DN20NS3 G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
Нормоупаковка:
5000 шт
Цена от:
66,54 руб.
Внешние склады
-
109+ 158+ 316+ 1580+81,26 ₽ 70,08 ₽ 68,31 ₽ 66,54 ₽Срок:25 днейНаличие:5 000Минимум:Мин: 109Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание BSC12DN20NS3 G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | BSC12DN20 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 5.9 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Высота | 1.27 mm |
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 3 ns |
| Время нарастания | 4 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 11.3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 108 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 8.7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSC12DN20NS3 G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 436 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1312 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 473 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 266 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара