BSC265N10LSF G
Цена от:
37,52 руб.
Внешние склады
-
194+ 282+ 561+ 2805+45,81 ₽ 39,51 ₽ 38,52 ₽ 37,52 ₽Срок:25 днейНаличие:5 000Минимум:Мин: 194Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание BSC265N10LSF G
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family Infineons OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 40 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип корпуса | PG-TDSON |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 36 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 2.4V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 1.2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 78 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | OptiMOS 2 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.2V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 5.35мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 16 нКл при 10 В |
| Высота | 1.1мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Ширина | 6.1мм |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSC265N10LSF G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара