IXFN200N10P, дискретные полупроводниковые модули 200 amps 100v 0.0075 rds
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Дискретные полупроводниковые модули 200 Amps 100V 0.0075 Rds
Производитель:
Littelfuse
Артикул:
IXFN200N10P
Описание IXFN200N10P
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | IXFN200N10 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Технология | Si |
| Высота | 9.6 mm |
| Длина | 38.23 mm |
| Ширина | 25.42 mm |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Вес изделия | 30 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Pd - рассеивание мощности | 680 W |
| Время нарастания | 35 ns |
| Время спада | 90 ns |
| Типичное время задержки выключения | 150 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара