F3L150R07W2E3_B11
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
F3L150R07W2E3_B11
Производитель:
Описание Eng:
Insulated Gate Bipolar Transistor Modules (IGBT) IGBT MODULES 650V 150A
В упаковке:
15 шт
Цена от:
4 966,84 руб.
Нет в наличии
Описание F3L150R07W2E3_B11
| Упаковка | Tray |
|---|---|
| Серия | Trenchstop IGBT3 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 39 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | Module |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP EasyPACK PressFIT |
| Pd - рассеивание мощности | 335 W |
| Конфигурация | IGBT-Inverter |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.45 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка F3L150R07W2E3_B11
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара