IPD80R900P7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPD80R900P7ATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 800V, 6A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):0.77ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power D
Нормоупаковка:
1 шт
Цена от:
78,90 руб.
Нет в наличии
Описание IPD80R900P7ATMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | CoolMOS P7 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 20 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 770 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPD80R900P7ATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара