IPG16N10S4-61
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPG16N10S4-61
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET MOSFET
Нормоупаковка:
2000 шт
Цена от:
63,23 руб.
Внешние склады
-
115+ 167+ 333+ 1663+77,21 ₽ 66,59 ₽ 64,91 ₽ 63,23 ₽Срок:25 днейНаличие:2 000Минимум:Мин: 115Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IPG16N10S4-61
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | XPG16N10 |
| Вес изделия | 100 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 29 W |
| Высота | 1.27 mm |
| Длина | 5.9 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 53 mOhms, 53 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Dual |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время спада | 5 ns, 5 ns |
| Время нарастания | 1 ns, 1 ns |
| Типичное время задержки выключения | 5 ns, 5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns, 3 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPG16N10S4-61
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара