IPN70R1K4P7SATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPN70R1K4P7SATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 700V, 4A, 6.2W, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:700V; On Resistance Rds(on):1.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V;
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
17,94 руб.
Нет в наличии
Описание IPN70R1K4P7SATMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | CoolMOS P7 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Упаковка / блок | PG-SOT-223-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 61 ns |
| Время нарастания | 4.9 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 6.2 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.15 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Qg - заряд затвора | 4.7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 63 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPN70R1K4P7SATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара