IQE006NE2LM5CGATMA1
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IQE006NE2LM5CGATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET TRENCH <= 40V
В упаковке:
5000 шт
Цена от:
106,58 руб.
Нет в наличии
Описание IQE006NE2LM5CGATMA1
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | PG-TTFN-9-1 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 2.6 ns |
| Время спада | 5.3 ns |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 89 W |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 298 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 650 uOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 28.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 220 S |
| Типичное время задержки выключения | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.3 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IQE006NE2LM5CGATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара