IXFA12N50P, МОП-транзистор 500V 12A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание IXFA12N50P
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | IXFA12N50P |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Высота | 16 mm |
| Длина | 10.66 mm |
| Тип | Polar Power MOSFET HiPerFET |
| Ширина | 4.83 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 1.600 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 500 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.5 V |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время нарастания | 27 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 20 ns |
| Типичное время задержки выключения | 65 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7.5 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара