CSD19536KTT, МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
666,69 руб.
Нет в наличии
Описание CSD19536KTT
| Серия | CSD19536KTT |
|---|---|
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Вес изделия | 2.200 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Конфигурация | Single |
| Высота | 4.7 mm |
| Длина | 9.25 mm |
| Ширина | 10.26 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Технология | Si |
| Время спада | 6 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 272 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V |
| Qg - заряд затвора | 118 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 329 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка CSD19536KTT , МОП-транзистор
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 210 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара