STGP30H65F, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) trench gte fieldstop igbt 600v 30a
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 600V 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STGP30H65F
Описание STGP30H65F
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
|---|---|
| Серия | STGP30H65F |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 260 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.4 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 30 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара