SQP25N15-52_GE3, МОП-транзистор N Ch 150Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SQP25N15-52_GE3
| Вес изделия | 1.800 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Серия | SQ |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 10.41 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Высота | 15.49 mm |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 107 W |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 21 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 41 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 60 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 33 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара