IXFX120N25P, моп-транзистор 120 amps 250 v 0.24 ohm rds
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание IXFX120N25P
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | IXFX120N25 |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Вес изделия | 1.600 g |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Тип | PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
| Длина | 16.13 mm |
| Ширина | 5.21 mm |
| Высота | 21.34 mm |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 700 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 185 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 33 ns |
| Время нарастания | 33 ns |
| Типичное время задержки выключения | 130 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 45 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара