BC857BU3T106, Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание BC857BU3T106
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 480 |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 210 |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара