MRF10120, рч биполярные транзисторы
Описание MRF10120
Упаковка / блок | 355C-2 |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
Pd - рассеивание мощности | 380 W |
Вес изделия | 15.350 g |
ECCN | EAR99 |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Тип | RF Bipolar Power |
Полярность транзистора | NPN |
Тип транзистора | Bipolar Power |
Рабочая частота | 1.215 GHz |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 55 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3.5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 15 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара