MSJPF20N65-BP, МОП-транзистор N-Ch 650Vds 30Vgs 20A 33A 31.3W
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
484,18 руб.
Нет в наличии
Описание MSJPF20N65-BP
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220F-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | MSJPF20N65 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 2.240 g |
| ECCN | EAR99 |
| Время нарастания | 20 ns |
| Время спада | 6.4 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 31.3 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 21 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7.8 S |
| Типичное время задержки выключения | 123 ns |
| Типичное время задержки при включении | 41 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка MSJPF20N65-BP , МОП-транзистор N-Ch 650Vds 30Vgs 20A 33A 31.3W
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 147 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара