NJVMJD350T4G, Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR

Код товара: 10134559

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
NJVMJD350T4G
Производитель:

Описание NJVMJD350T4G

СерияMJD350
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокDPAK-3
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Вес изделия260.400 mg
ECCNEAR99
Вид монтажаSMD/SMT
ТехнологияSi
КвалификацияAEC-Q101
Pd - рассеивание мощности15 W
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораPNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.300 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)300 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)3 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 V
Максимальный постоянный ток коллектора750 mA
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)10 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.240
Непрерывный коллекторный ток0.5 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка NJVMJD350T4G , Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 259
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.