2SK3669(Q), Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
2SK3669(Q)
Производитель:
Описание Eng:
SEMI, DISCRETE, MOS, FET, TOSH, PW-MOLD,
Нормоупаковка:
1 шт
Цена от:
0,00 руб.
Нет в наличии
Описание 2SK3669(Q)
MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba
| Brand | Toshiba |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 10 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип корпуса | PW Mold |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 125 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 20 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | 2SK |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 8 нКл при 10 В |
| Высота | 2.3мм |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 6.5мм |
| Ширина | 5.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Страна происхождения | JP |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка 2SK3669(Q)
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 353 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1197 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 429 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 243 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара