2SD1047, биполярные транзисторы - bjt high power npn epitaxial planar bipolar transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
2SD1047
Описание 2SD1047
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
|---|---|
| Серия | 2SD1047 |
| Вес изделия | 6.756 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 12 A |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 20 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара